一种用于声表面波器件的氧化锌压电薄膜及其制备方法专利登记公告

专利名称：一种用于声表面波器件的氧化锌压电薄膜及其制备方法

摘要：一种用于声表面波器件的氧化锌压电薄膜，为在单晶硅基片衬底上制备的氧化锌/铝/类金刚石复合膜结构，其制备方法是：将表面清洗干净的单晶硅基片放入脉冲激光系统的真空生长腔中，以石墨、铝为靶材，沉积类金刚石/铝薄膜；然后以氧化锌为靶材，采用射频磁控溅射工艺，在Al膜表面沉积氧化锌薄膜。本发明的优点是：制备工艺简单易行，成本低廉；所制备的类金刚石薄膜表面光滑平整，可大大降低声波在传输过程中的损耗，沉积的Al薄膜大大提高了氧化锌薄膜的机电耦合系数，氧化锌薄膜结晶度高，c-轴取向高，该ZnO/Al/DLC复合薄膜结构可

专利类型：发明专利

专利号：CN201210062507.0

专利申请（专利权）人：天津理工大学

专利发明（设计）人：陈希明;张倩;阴聚乾;朱宇清;李福龙;郭燕;孙连婕

主权项：一种用于声表面波器件的氧化锌压电薄膜，其特征在于：为在单晶硅基片衬底上制备的氧化锌/铝/类金刚石复合膜结构。

专利地区：天津