基于AlN双晶向压电薄膜的声表面波器件及其制作方法专利登记公告
专利名称：基于AlN双晶向压电薄膜的声表面波器件及其制作方法
摘要：一种基于AlN压电薄膜的新型高频声表面波器件，由纳米金刚石衬底、a轴择优取向的AlN薄膜、c轴择优取向的AlN薄膜和叉指换能器（IDT）依次叠加构成，形成IDT/c-AlN/a-AlN/金刚石多层膜结构；其制备方法是：1）采用微波等离子体化学气相淀积（MPCVD）方法制备纳米金刚石衬底；2）采用射频溅射法制备AlN压电薄膜；3）采用电子束蒸发法制备叉指换能器IDT。本发明的优点是：该高频声表面波器件频率高、机电耦合系数高，能满足高频率和大功率移动通信的要求；该制备方法所用设备简单、工艺条件方便易行，有利于
专利类型：发明专利
专利号：CN201210064272.9
专利申请（专利权）人：天津理工大学
专利发明（设计）人：陈希明;阴聚乾
主权项：一种基于AlN压电薄膜的新型高频声表面波器件，其特征在于：由纳米金刚石衬底、a轴择优取向的AlN薄膜、c轴择优取向的AlN薄膜和叉指换能器(IDT)依次叠加构成，形成IDT/c?AlN/a?AlN/金刚石多层膜结构。
专利地区：天津
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