画素结构及其制造方法专利登记公告

专利名称：画素结构及其制造方法

摘要：一种画素结构的制造方法，包括下列步骤。于一基板上形成一第一介电层，其中第一介电层具有一栅极开口。于基板上形成一栅极与一下电极，栅极位于栅极开口处，下电极位于第一介电层上。形成一第二介电层，覆盖第一介电层、栅极与下电极。于第二介电层上形成一通道、一上电极、一源极与一漏极，其中通道位于源极与漏极之间且位于栅极上方，上电极位于下电极上方。形成与漏极电性连接的一画素电极。一种画素结构也被提出。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210063485.X

专利申请（专利权）人：友达光电股份有限公司

专利发明（设计）人：彭彦毓

主权项：一种画素结构的制造方法，包括：于一基板上形成一第一介电层，其中该第一介电层具有一栅极开口；于该基板上形成一栅极与一下电极，该栅极位于该栅极开口处，该下电极位于该第一介电层上；形成一第二介电层，其中该第二介电层覆盖该第一介电层、该栅极与该下电极；于该第二介电层上形成一通道、一上电极、一源极与一漏极，其中该通道位于该源极与该漏极之间且位于该栅极上方，该上电极位于该下电极上方；以及形成与该漏极电性连接的一画素电极。

专利地区：台湾