半穿半反液晶显示器的阵列基板制造方法专利登记公告

专利名称：半穿半反液晶显示器的阵列基板制造方法

摘要：本发明提供一种半穿半反液晶显示器的阵列基板制造方法，包括以下步骤：步骤1、提供基板；步骤2、在基板上形成透明电极层、在透明电极层上形成第一金属层；步骤3、通过第一道光罩制程以形成预定图案的栅极、像素电极及反射部；步骤4、在栅极、像素电极及反射部上形成绝缘层；步骤5、通过第二道光罩制程在上述绝缘层上形成预定图案的栅极绝缘层；步骤6、在栅极绝缘层上形成半导体层、在半导体层上形成第二金属层；步骤7、通过第三道光罩制程在半导体层上形成预定图案的沟道层及在第二金属层上形成预定图案的漏极与源极，形成薄膜晶体管，其中，

专利类型：发明专利

专利号：CN201210056811.4

专利申请（专利权）人：深圳市华星光电技术有限公司

专利发明（设计）人：贾沛;杨流洋

主权项：一种半穿半反液晶显示器的阵列基板制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、提供基板；步骤2、在基板上形成透明电极层、在透明电极层上形成第一金属层；步骤3、通过第一道光罩制程以形成预定图案的栅极、像素电极及反射部，其中，该栅极由透明电极层及第一金属层形成，该像素电极由透明电极层形成，该反射部由第一金属层形成；步骤4、在栅极、像素电极及反射部上形成绝缘层；步骤5、通过第二道光罩制程在上述绝缘层上形成预定图案的栅极绝缘层；步骤6、在栅极绝缘层上形成半导体层、在半导体层上形成第二金属层；步骤7、通过第三道光罩制

专利地区：广东