半穿半反液晶显示器的阵列基板制造方法专利登记公告

专利名称：半穿半反液晶显示器的阵列基板制造方法

摘要：本发明提供一种半穿半反液晶显示器的阵列基板制造方法，包括以下步骤：步骤1、提供基板；步骤2、在基板上形成透明电极层、在透明电极层上形成第一金属层；步骤3、通过第一道光罩制程以形成预定图案的栅极及像素电极，其中，该像素电极由透明电极层形成并暴露，该栅极由透明电极层及第一金属层形成；步骤4、在栅极及像素电极上形成绝缘层；步骤5、通过第二道光罩制程在上述绝缘层上形成预定图案的栅极绝缘层；步骤6、在栅极绝缘层上形成半导体层、在半导体层及像素电极上形成第二金属层；步骤7、通过第三道光罩制程在半导体层上形成预定图案的

专利类型：发明专利

专利号：CN201210056791.0

专利申请（专利权）人：深圳市华星光电技术有限公司

专利发明（设计）人：贾沛

主权项：一种半穿半反液晶显示器的阵列基板制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、提供基板；步骤2、在基板上形成透明电极层、在透明电极层上形成第一金属层；步骤3、通过第一道光罩制程以形成预定图案的栅极及像素电极，其中，该像素电极由透明电极层形成并暴露，该栅极由透明电极层及第一金属层形成；步骤4、在栅极及像素电极上形成绝缘层；步骤5、通过第二道光罩制程在上述绝缘层上形成预定图案的栅极绝缘层；步骤6、在栅极绝缘层上形成半导体层、在半导体层及像素电极上形成第二金属层；步骤7、通过第三道光罩制程在半导体层上形成预定图案

专利地区：广东