一种内建模拟电源电路专利登记公告

专利名称：一种内建模拟电源电路

摘要：本发明公开一种内建模拟电源电路，包括：带隙基准源、运算放大器、第一补偿电容、第二补偿电容、第一稳压电容、第二稳压电容、高压PMOS功率管、低压NMOS管、第一电阻、第二电阻和外部电源电压；所述运算放大器的输出端、所述第一补偿电容的上极板与所述高压PMOS功率管的栅极相连；所述高压PMOS功率管的漏极、所述第二电阻的一端、所述第二补偿电容的下极板、所述低压NMOS管的漏极与所述第一稳压电容的上极板相连；采用本发明的内建模拟电源电路，第一稳压电容的电容值较小，可由内部产生，避免了由芯片外部提供电容而提升系统成

专利类型：发明专利

专利号：CN201210063866.8

专利申请（专利权）人：北京经纬恒润科技有限公司

专利发明（设计）人：贾晓伟;邓龙利;王帅旗

主权项：一种内建模拟电源电路，其特征在于，包括：带隙基准源、运算放大器、第一补偿电容、第二补偿电容、第一稳压电容、第二稳压电容、高压PMOS功率管、低压NMOS管、第一电阻、第二电阻和外部电源电压；所述带隙基准源的基准电压输出端与所述运算放大器的负输入端相连；所述带隙基准源的基准电压输出端通过所述第二稳压电容接地；所述运算放大器的输出端、所述第一补偿电容的上极板与所述高压PMOS功率管的栅极相连；所述高压PMOS功率管的漏极、所述第二电阻的一端、所述第二补偿电容的下极板、所述低压NMOS管的漏极与所述第一稳压电容

专利地区：北京