低电压驱动缓冲电路芯片专利登记公告

专利名称：低电压驱动缓冲电路芯片

摘要：一种低电压驱动缓冲电路芯片，该电路的输入信号从第一级NPN三极管的基极输入。第一级三极管的集电极连接到第二级由NPN三极管构成的射级跟随器的基极。第二级三极管的发射极与第三级PNP三极管的基极相连。第一级三极管的集电极加载一个恒流源，其发射极通过一个电阻接地。第二级三极管的集电极与第三级三极管的发射极相连后通过一个电阻连接到电源端。第二级三极管的发射极通过一个电阻接地。第三级三极管的集电极分别与输出端和第一级三极管的发射极相连。该电路能在低电压下工作且三极管均不会处于饱和状态。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210069636.2

专利申请（专利权）人：苏州贝克微电子有限公司

专利发明（设计）人：李志鹏

主权项：一种低电压驱动缓冲电路芯片，其特征是：第一、第二和第三晶体管各有一个基极，发射极和集电极，晶体管属于NPN或PNP两种类型，第一、第二晶体管是一种类型而第三晶体管是另外一种类型，电源连接第一和第二端，第一晶体管的基极连接输入端，第一晶体管的发射极通过一个第一电阻连接第一端，电流源信号连接在第一晶体管的集电极与加载到第一晶体管的第二端之间，第一晶体管的集电极连接第二晶体管的基极，第二晶体管的发射极通过第二电阻连接第一端，第二晶体管的集电极与第二端耦合，第二晶体管的发射极连接第三晶体管的基极，第三晶体管的集电

专利地区：江苏