用等离子激发形成氮化硅膜的方法专利登记公告

专利名称：用等离子激发形成氮化硅膜的方法

摘要：本发明涉及一种氮化硅膜的方法，尤其涉及一种用等离子激发形成氮化硅膜的方法。该方法的核心是工艺沉积腔，工艺沉积腔内设置有一个或多个平行放置的等离子源，工艺沉积腔上还设置有使等离子源形成高密度等离子体的射频能源输入系统，工艺沉积腔上还设置有气体通入和分布系统，所述的气体为硅烷以及由氮气和氢气组成的混合气体，硅烷以及由氮气和氢气组成的混合气体分别进入工艺沉积腔，通入的气体在等离子体的激发下反应形成氮化硅膜覆在硅片上，在连续经过一个或多个平行的等离子源后，硅片上氮化硅膜的厚度达到工艺要求的厚度。本发明成膜不需要使

专利类型：发明专利

专利号：CN201210064258.9

专利申请（专利权）人：常州比太科技有限公司

专利发明（设计）人：上官泉元

主权项：一种用等离子激发形成氮化硅膜的方法，其特征在于：该方法由一个自动传送装置实现，包括硅片载板、硅片上料、抽真空腔、恒温腔、工艺沉积腔、冷却腔、放气腔和硅片下料，具体的工艺步骤如下：一、自动传送装置带动硅片载板，通过硅片上料将需镀氮化硅膜的硅片置于硅片载板上；二、载有硅片的硅片载板在自动传输装置的带动下进入抽真空腔进行抽真空，并在真空腔中进行预热；三、达到设定真空后，经过抽真空后的硅片载板在自动传输装置的带动下进入恒温腔进行恒温处理；四、经过恒温后的硅片载板进入工艺沉积腔，工艺沉积腔内设置有平行放置的等离子源

专利地区：江苏