一种用于太阳电池的硅基纳米结构及其制备方法专利登记公告

专利名称：一种用于太阳电池的硅基纳米结构及其制备方法

摘要：本发明公开了一种用于太阳电池的硅基纳米结构及其制备方法，该方法包括：清洗硅片；在硅片表面上旋涂覆盖上单层PS球；对PS球进行刻蚀，减小PS球尺寸；在硅片表面沉积金属薄膜层，形成金属掩膜；将硅片表面剩余的PS球去除，剩下金属掩膜层；采用干法刻蚀或湿法腐蚀方法，形成硅基纳米结构；浓酸加热处理硅片，去除剩余的金属，完成硅基纳米结构的制备。本发明利用PS球掩蔽和金属薄膜生长，结合干法和湿法腐蚀，提供了一种用于太阳电池的硅基纳米结构的制备方法。利用本发明制备的硅基纳米结构，具有超低的反射率和高效的陷光能力，能够增强

专利类型：发明专利

专利号：CN201210066508.2

专利申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所

专利发明（设计）人：贾锐;窦丙飞;陈晨;李昊峰;金智;刘新宇

主权项：一种用于太阳电池的硅基纳米结构的制备方法，其特征在于，包括：清洗硅片；在硅片表面上旋涂覆盖上单层PS球；对PS球进行刻蚀，减小PS球尺寸；在硅片表面沉积金属薄膜层，形成金属掩膜；将硅片表面剩余的PS球去除，剩下金属掩膜层；采用干法刻蚀或湿法腐蚀方法，形成硅基纳米结构；以及浓酸加热处理硅片，去除剩余的金属，完成硅基纳米结构的制备。

专利地区：北京