一种多晶硅选择性发射极太阳能电池的扩散方法专利登记公告

专利名称：一种多晶硅选择性发射极太阳能电池的扩散方法

摘要：本发明公开了一种多晶硅选择性发射极太阳能电池的扩散方法，包括如下步骤：(1)将生长掺杂剂的硅片放于扩散炉中，升温至750~800℃，炉内环境为N2，N2流量10~30slm；(2)待温度稳定后，使炉内各温区的温度均升至850~900℃，升温的同时通入0.2~2slm携三氯乙烷的N2、1~5slmO2和10~30slmN2气体，以实现重掺，重掺方阻控制在30~60Ω/□；(3)将各温区降至扩散温度820~840℃，通入携POCl3的N2进行扩散；(4)将各温区的温度降至780~800℃，停止通入携POCl3

专利类型：发明专利

专利号：CN201210066713.9

专利申请（专利权）人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯（中国）投资有限公司

专利发明（设计）人：张凤;张为国;龙维绪;王栩生;章灵军

主权项：一种多晶硅选择性发射极太阳能电池的扩散方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)?将生长掺杂剂的硅片放于扩散炉中，升温至750~800℃，炉内环境为N2，N2流量10~30?slm；(2)?待温度稳定后，使炉内各温区的温度均升至850~900℃，升温的同时通入0.2~2?slm携三氯乙烷的N2、1~5?slm?O2和10~30?slm?N2气体，时间为30~50?min，以实现重掺，重掺方阻控制在30~60Ω/□；(3)?将各温区降至扩散温度820~840℃，通入携POCl3的N2进行扩散，携POCl3的N2

专利地区：江苏