N型晶体硅背发射结太阳能电池的制备方法及腐蚀液专利登记公告

专利名称：N型晶体硅背发射结太阳能电池的制备方法及腐蚀液

摘要：本发明公开了一种N型晶体硅背发射结太阳能电池的制备方法及该方法中所用到的腐蚀液，其中方法包括如下步骤：先对N型晶体硅片采用腐蚀液进行化学减薄，厚度减薄到50～150μm，然后利用标准工艺制备太阳能电池。本发明还公开了所述的N型晶体硅背发射结太阳能电池的制备方法中所用的腐蚀液，腐蚀液由硝酸，氢氟酸，水和/或醋酸组成。本发明方法制备的N型晶体硅背发射结太阳能电池的电池效率高，当衬底材料为多晶硅片或低质量的单晶硅片，电池效率显著提升，并且涉及到的工艺设备都是P型太阳能电池生产线上的已有设备，无需额外投入较大成本

专利类型：发明专利

专利号：CN201210073816.8

专利申请（专利权）人：浙江大学

专利发明（设计）人：余学功;肖承全;杨德仁;王栋;王蓉

主权项：一种N型晶体硅背发射结太阳能电池的制备方法，包括将N型晶体硅片浸入腐蚀液进行化学减薄，然后再制成所述的N型晶体硅背发射结太阳能电池，其特征在于，所述的腐蚀液包含硝酸和氢氟酸。

专利地区：浙江