一种形成前金属介电质层的方法专利登记公告

专利名称：一种形成前金属介电质层的方法

摘要：本发明公开了一种形成前金属介电质层的方法，其包括：提供一种具有NMOS和PMOS晶体管的半导体衬底；在半导体衬底上依次沉积一缓冲氧化层、一具有高压应力的第一蚀刻阻挡层、一具有压应力的第一前金属介电质层、一硬质掩膜层和一介质抗反射层；在硬质掩膜层上涂覆一层光刻胶，对PMOS区域和NMOS区域进行光刻，在NMOS区域，刻蚀至第一刻蚀阻挡层，暴露所述NMOS区域，在PMOS区域刻蚀至介质抗反射层，刻蚀后保留至PMOS区域表面的硬质掩膜层；在半导体器件表面依次沉积具有高拉应力的第二蚀刻阻挡层以及具有拉应力的第二前

专利类型：发明专利

专利号：CN201210064615.1

专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司

专利发明（设计）人：徐强

主权项：一种形成前金属介电质层的方法，其特征在于，包括下列步骤：提供一种具有NMOS和PMOS晶体管的半导体衬底；在所述半导体衬底上沉积一缓冲氧化层；在所述缓冲氧化层上沉积一具有高压应力的第一蚀刻阻挡层；在所述第一蚀刻阻挡层上沉积一具有压应力的第一前金属介电质层；在所述第一前金属介电质层上依次沉积一硬质掩膜层和一介质抗反射层；在所述硬质掩膜层上涂覆一层光刻胶，对PMOS区域和NMOS区域进行光刻，在NMOS区域，刻蚀至所述第一刻蚀阻挡层，暴露所述NMOS区域，在PMOS区域刻蚀至所述介质抗反射层，保留至所述硬质掩

专利地区：上海