一种形成双应力层氮化硅薄膜的方法专利登记公告

专利名称：一种形成双应力层氮化硅薄膜的方法

摘要：本发明提出一种形成双应力层氮化硅薄膜的方法，在沉积高拉和高压应力氮化硅应力层之前，预先沉积拉和压应力的二氧化硅缓冲层，并分别对N/PMOS进行选择性的蚀刻。采用该方法制备的双应力层，能够提高N/PMOS的电迁移率，从而改善器件性能。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210093939.8

专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司

专利发明（设计）人：徐强

主权项：一种形成双应力层氮化硅薄膜的方法，其特征在于，所述方法包括下列步骤：提供具有N/PMOS晶体管的衬底；在所述结构上沉积具有拉应力的第一氧化硅缓冲层；在所述结构上沉积具有高拉应力的第一氮化硅应力层；对PMOS区域进行光刻以及蚀刻，去除该区域的第一氮化硅应力层和第一氧化硅缓冲层；在所述结构上沉积具有压应力的第二氧化硅缓冲层；在所述结构上沉积具有高压应力的第二氮化硅应力层；对NMOS区域进行光刻以及蚀刻，去除该区域的第二氮化硅应力层和第二氧化硅缓冲层。

专利地区：上海