一种形成前金属介电质层的方法专利登记公告

专利名称：一种形成前金属介电质层的方法

摘要：本发明公开了一种形成前金属介电质层的方法，其包括：提供一种具有NMOS和PMOS晶体管的半导体衬底；在半导体衬底上沉积缓冲氧化层；在缓冲氧化层上沉积具有高拉应力的第一蚀刻阻挡层；在第一蚀刻阻挡层上沉积具有拉应力的第一前金属介电质层；在第一前金属介电质层上沉积金属硬掩膜层；在所述NMOS区域上方涂覆一层光刻胶，进行光刻后对PMOS区域上方的缓冲氧化层、第一蚀刻阻挡层、第一前金属介电质层和金属硬掩膜层进行蚀刻；在半导体器件表面沉积具有高压应力的第二蚀刻阻挡层；在第二蚀刻阻挡层上沉积具有压应力的第二前金属介电质

专利类型：发明专利

专利号：CN201210064630.6

专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司

专利发明（设计）人：徐强

主权项：一种形成前金属介电质层的方法，其特征在于，包括下列步骤：提供一种具有NMOS和PMOS晶体管的半导体衬底；在所述半导体衬底上沉积一层缓冲氧化层；在所述缓冲氧化层上沉积一层具有高拉应力的第一蚀刻阻挡层；在所述第一蚀刻阻挡层上沉积一具有拉应力的第一前金属介电质层；在所述第一前金属介电质层上沉积一金属硬掩膜层；在所述NMOS区域上方涂覆一层光刻胶，并对其依次进行刻蚀，进行光刻后对PMOS区域上方的缓冲氧化层、第一蚀刻阻挡层、第一前金属介电质层和金属硬掩膜层进行蚀刻；在半导体器件表面沉积一层具有高压应力的第二蚀刻

专利地区：上海