一种形成双应力刻蚀阻挡层及前金属介电质层的方法专利登记公告

专利名称：一种形成双应力刻蚀阻挡层及前金属介电质层的方法

摘要：本发明一种形成双应力刻蚀阻挡层及前金属介电质层的方法，包括：NMOS与PMOS晶体管区域的衬底，其中，还包括在NMOS区域沉积具有拉应力的前金属介电质层，而在PMOS区域沉积具有压应力的前金属介电质层。通过本发明一种形成双应力刻蚀阻挡层及前金属介电质层的方法，有效地使所形成的前金属介电质层的工艺过程变得简单；同时有利于提高NMOS以及PMOS的载流子迁移率，从而提高半导体器件的性能。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210064639.7

专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司

专利发明（设计）人：徐强

主权项：一种形成双应力刻蚀阻挡层及前金属介电质层的方法，包括：NMOS与PMOS晶体管区域的衬底，其特征在于，还包括以下工艺步骤：步骤一，首先在?NMOS与PMOS区域的衬底上沉积缓冲层，其次在所沉积的缓冲层的上表面沉积高拉应力阻挡层，最后在高拉应力阻挡层上表面沉积HARP薄膜；步骤二，在所述NMOS区域上方的HARP薄膜上表面沉积拉应力前金属介电质层；步骤三，对所述PMOS区域的上方进行光刻，直至露出PMOS区域，之后去除NMOS区域上方HARP薄膜上表面的拉应力前金属介电质层；步骤四，在所述NMOS上方HAR

专利地区：上海