带有半空洞结构的两层半导体器件的制备方法专利登记公告

专利名称：带有半空洞结构的两层半导体器件的制备方法

摘要：本发明通过采用低温键合、低温剥离的方法，实现下层半导体器件层上的上层半导体层的层转移，然后在上层半导体层中制备上层半导体器件，最后一次性完成上层接触孔和下层接触孔工艺，实现上下两层半导体器件隔离制备方法，工艺简单，有效提高了半导体器件的集成度。同时在上下层半导体器件层中制备有空洞层+绝缘介质支撑层结构的半空洞隔离结构，有效降低了上下器件层之间的电容耦合效应。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210090254.8

专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司

专利发明（设计）人：黄晓橹

主权项：一种带有半空洞结构的两层半导体器件的制备方法，其特征在于，步骤包括：步骤1，提供已图形化的下层支撑片，下层支撑片中器件的ILD层为无定形碳层，在下层支撑片的ILD层上沉积有薄层二氧化硅层，下层支撑片中器件STI结构上方制备一层绝缘介质层，作为空洞层的支撑结构；提供上层硅，其中，所述上层硅包括富硼、氢层，并且包括位于表面的二氧化硅层；对上层硅的二氧化硅层和下层支撑片的二氧化硅层进行活化处理和亲水处理，以增加处理表面的硅醇键。

专利地区：上海