一种三维波导结构及其制作方法专利登记公告

专利名称：一种三维波导结构及其制作方法

摘要：本发明设计光学技术领域，尤其是一种三维波导结构及其制作方法，包括以下步骤：在基底上生长下包层；在下包层上生长第一波导芯层；然后刻蚀第一波导芯层，控制刻蚀深度至下包层，形成第一波导层；控制生长温度70℃～200℃，生长第一隔离层；剥离第一波导层表面的第一隔离层，并采用化学机械抛光法降低第一隔离层及第一波导层表面粗糙度；控制生长温度70℃～200℃，生长第二隔离层；在第二隔离层上生长第二波导芯层；然后刻蚀第二波导芯层，控制刻蚀深度至在第二隔离层，形成第二波导层；在所述第二隔离层及第二波导层表面生长上包层，获得

专利类型：发明专利

专利号：CN201210064678.7

专利申请（专利权）人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

专利发明（设计）人：时文华;付思齐;缪小虎;周韦娟;张宝顺

主权项：一种三维波导结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：在基底(11)上生长下包层(12)；步骤二：在下包层(12)上生长第一波导芯层；然后以光刻胶(14)为掩膜采用干法刻蚀法刻蚀第一波导芯层，控制刻蚀深度至下包层(12)，形成第一波导层(13)；步骤三：控制生长温度70℃～200℃，在光刻胶(14)及下包层(12)表面生长第一隔离层(15)；步骤四：溶解所述步骤三的光刻胶(14)并剥离第一波导层(13)表面的第一隔离层(15)，然后采用化学机械抛光法降低第一隔离层(15)及第一波导层(13)的表面

专利地区：江苏