半导体装置及其制造方法专利登记公告

专利名称：半导体装置及其制造方法

摘要：本申请涉及半导体装置及其制造方法。提供一种半导体装置，其包括基板、在基板上的像素阵列以及基板位于其之间的第一导电焊盘和第二导电焊盘。所述半导体装置还包括：绝缘层，其布置在基板与第一导电焊盘之间；第三导电焊盘，其布置在基板与绝缘层之间；第一导电部件，其穿过绝缘层并且将第一导电焊盘和第二导电焊盘彼此连接；和第二导电部件，其穿过基板并且将第二导电焊盘和第三导电焊盘彼此连接。所述像素阵列还包括导电线，所述导电线与包括在按行方向或列方向对齐的像素中的电路元件连接。第一导电焊盘在像素之间的间隔中与导电线连接。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210064853.2

专利申请（专利权）人：佳能株式会社

专利发明（设计）人：和山弘;望月千织;渡边实;横山启吾;大藤将人;川锅润;藤吉健太郎

主权项：一种半导体装置，包括：基板；像素阵列，其布置在所述基板上；第一导电焊盘，其布置在所述基板上，并且与所述像素阵列的电路元件电连接；和第二导电焊盘，其布置在所述基板下面以连接电子电路，所述半导体装置包括：绝缘层，其布置在所述基板与所述第一导电焊盘之间；第三导电焊盘，其布置在所述基板与所述绝缘层之间；第一导电部件，其穿过延伸通过所述绝缘层的第一接触孔，并且将所述第一导电焊盘与所述第三导电焊盘彼此连接；和第二导电部件，其穿过延伸通过所述基板的第二接触孔，并且将所述第二导电焊盘与所述第三导电焊盘彼此连接，其中，所述

专利地区：日本