CMOS图像传感器及其制造方法专利登记公告

专利名称：CMOS图像传感器及其制造方法

摘要：本发明涉及一种CMOS图像传感器及其制造方法。该CMOS图像传感器，包括：半导体基片，包括第一有源区，其中，所述第一有源区中包括光电二极管，晶体管，以及第二有源区，其中，所述第二有源区邻近所述光电二极管的阱，并且具有与所述光电二极管的阱相同的导电类型，所述第二有源区连接到参考电位，其中，所述第二有源区和所述光电二极管的阱通过一次离子注入形成。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210074821.0

专利申请（专利权）人：格科微电子(上海)有限公司

专利发明（设计）人：赵立新;霍介光

主权项：一种CMOS图像传感器，包括：半导体基片，包括第一有源区，其中，所述第一有源区中包括光电二极管，晶体管，以及第二有源区，其中，所述第二有源区邻近所述光电二极管的阱，并且具有与所述光电二极管的阱相同的导电类型，所述第二有源区连接到参考电位，其中，所述第二有源区和所述光电二极管的阱通过一次离子注入形成。

专利地区：上海