用于增强硅基成像器件对紫外响应的量子点光转换膜的制备方法和用途专利登记公告

专利名称：用于增强硅基成像器件对紫外响应的量子点光转换膜的制备方法和用途

摘要：一种用于增强硅基成像器件对紫外响应的量子点光转换膜的制备方法和用途。该光转换膜的主要组份为光致转化荧光材料量子点和成膜材料。量子点为包括元素周期表第II-VI或第III-V族类纳米半导体材料及其相应核壳结构的纳米晶粒；成膜材料是由环氧树脂类、有机硅类、聚丙烯酸酯类、聚氨酯类、乙烯-乙酸乙烯共聚物(EVA)和聚碳酸酯（PC）等聚合物中的一种或几种。该光转换膜采用流涂、喷涂、提拉、旋涂等涂膜工艺在器件表面涂敷制膜。本发明可有效地增强硅基成像器件对紫外光的敏感度，延长硅基成像器件的寿命，提高紫外光区到可见光区的

专利类型：发明专利

专利号：CN201210117665.1

专利申请（专利权）人：广东普加福光电科技有限公司

专利发明（设计）人：李阳;张志坤;刘江国

主权项：?一种用于增强硅基成像器件对紫外响应的量子点光转换膜，其特征在于：由量子点与高透光率的成膜材料组成具有改变光波波长功能的光转换膜，该膜能将紫外光区的光转化到成像器件最敏感的特定波段，并使光波长为400nm～700nm之间的光的透过率大于85%。

专利地区：广东