一种多值存储的阻变存储器件的制备方法专利登记公告

专利名称：一种多值存储的阻变存储器件的制备方法

摘要：本发明公开了一种基于界面氧空位而实现多值存储性能的阻变存储器件，具体是指以金属Ag和Ti为上下电极、以Nb:SrTiO3为阻变层的存储结构在多值存储性能上的实现。本发明是利用磁控溅射的方法在Nb:SrTiO3的衬底上溅射金属钛(Ti)薄膜，并涂覆金属银(Ag胶)，而得到了Ag/Nb:SrTiO3/Ti结构的存储器件并实现了多值存储的性能。本发明的优越性：在不同大小的正负偏压下通过氧空位调控势垒的高度来实现多值存储的优异性能。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210065232.6

专利申请（专利权）人：浙江理工大学

专利发明（设计）人：李培刚;申婧翔;张岩;王顺利;唐为华

主权项：一种多值存储的阻变存储器件的制备方法，其特征在于包括如下步骤：(1)以Nb:SrTiO3为衬底，并超声清洗干净，自然晾干；(2)将清洗干净的Nb:SrTiO3衬底置于一定真空度的磁控溅射真空腔内并在一定的温度下退火一定的时间后自然降温；所述的真空度为8×10?4pa，退火温度为700℃，退火时间为30min；(3)用掩模板遮掩Nb:SrTiO3衬底中间部位三分之一大小的面积的Nb:SrTiO3，用磁控溅射的方法在暴露的Nb:SrTiO3上溅射厚度为150?200nm的金属钛薄膜；上述磁控溅射法溅射的参数分

专利地区：浙江