一种阻变存储器及其制造方法专利登记公告

专利名称：一种阻变存储器及其制造方法

摘要：本发明提出一种阻变存储器及其制造方法，所述制造方法包括下列步骤：形成下层金属互连线；在下层金属互连线上沉积扩散阻挡层和加厚层；光刻并刻蚀扩散阻挡层和加厚层形成窗口，在窗口中露出部分下层金属互连线；在上述结构上形成电阻转变层；在上述结构上淀积金属薄膜作为阻变存储器的上电极材料；对上述结构进行化学机械研磨，直至露出加厚层并进一步研磨去除部分加厚层，从而在窗口中形成阻变存储器上电极；在上述结构上淀积金属间介质层，形成上层金属互连线。本发明只需在铜后道互连工艺基础上增加一张光刻掩模板便可形成阻变存储器，降低了生产

专利类型：发明专利

专利号：CN201210045382.0

专利申请（专利权）人：上海集成电路研发中心有限公司

专利发明（设计）人：左青云;曾绍海;李铭

主权项：一种阻变存储器的制造方法，其特征在于，包括下列步骤：形成下层金属互连线；在所述下层金属互连线上沉积扩散阻挡层和加厚层；光刻并刻蚀所述扩散阻挡层和加厚层形成窗口，在所述窗口中露出部分下层金属互连线；在上述结构上形成电阻转变层；在上述结构上淀积一层金属薄膜作为阻变存储器的上电极材料；对上述结构进行化学机械研磨，直至露出所述加厚层并进一步研磨去除部分所述加厚层，从而在所述窗口中形成阻变存储器上电极；在上述结构上淀积金属间介质层，形成上层金属互连线。

专利地区：上海