一种阻变存储器的制备方法专利登记公告

专利名称：一种阻变存储器的制备方法

摘要：本发明公开了一种阻变存储器的制备方法，其包括如下步骤：在衬底上制备底电极；然后采用干氧氧化或湿氧氧化对底电极金属进行部分氧化，形成厚度为3nm-50nm的金属氧化物，作为阻变材料层；最后在上述阻变材料层上制备顶电极。本发明避免了传统方法中淀积阻变材料层的步骤，大幅降低了工艺复杂度。同时可以实现阻变材料层与底电极的自对准。保证器件之间的完全隔离。避免了传统工艺方法产生的众多寄生效应。同时保证了器件的实际面积与设计面积一致。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210041447.4

专利申请（专利权）人：北京大学

专利发明（设计）人：黄如;谭胜虎;张丽杰;潘岳;黄英龙;杨庚宇;唐昱;毛俊;蔡一茂

主权项：一种阻变存储器的制备方法，其包括如下步骤：1)在衬底上制备底电极。2)采用干氧氧化或湿氧氧化对底电极金属进行部分氧化，形成厚度为3nm?50nm的金属氧化物，所述金属氧化物层作为阻变材料层；3)在上述阻变材料层上制备顶电极。

专利地区：北京