一种低功耗阻变存储器结构及制备方法专利登记公告

专利名称：一种低功耗阻变存储器结构及制备方法

摘要：本发明公开了一种阻变存储器及其制备方法，属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)技术领域。该阻变存储器包括衬底，在衬底上设有下电极，在下电极上设有第一阻变层，在第一阻变层上设有第二阻变层，在第二阻变层上设有电子电流阻挡层，在电子电流阻挡层上设有上电极，上电极和电子电流阻挡层导带之间的能带差低于1eV。本发明可以有效地抑制电子电流，同时又不会减弱引起阻变的离子电流，能有效地降低功耗。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210019208.9

专利申请（专利权）人：北京大学

专利发明（设计）人：张丽杰;黄如;谭胜虎

主权项：一种阻变存储器，其特征在于，包括衬底，在衬底上设有下电极，在下电极上设有第一阻变层，在第一阻变层上设有第二阻变层，在第二阻变层上设有电子电流阻挡层，在电子电流阻挡层上设有上电极，上电极和电子电流阻挡层导带之间的能带差低于1eV。

专利地区：北京