相变存储单元及其制作方法专利登记公告

专利名称：相变存储单元及其制作方法

摘要：本发明提供一种相变存储单元及其制作方法，所述相变存储单元除半导体衬底、第一电极层、相变材料层、第二电极层和引出电极之外，还包括用于避免所述相变材料层在化学机械抛光工艺中过度腐蚀的高阻材料层，所述高阻材料层的阻值至少为所述相变材料层的阻值的十倍及以上，可以避免相变材料层在化学机械抛光工艺中过度腐蚀的现象，提高相变存储单元的存储性能和成品率。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110020727.2

专利申请（专利权）人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所

专利发明（设计）人：刘波;宋志棠;张挺;李莹;钟旻;封松林

主权项：一种相变存储单元，包括半导体衬底、依序位于所述半导体衬底上的第一电极层、相变材料层和第二电极层、以及位于所述半导体衬底上的引出电极；其特征在于，还包括用于避免所述相变材料层在化学机械抛光工艺中过度腐蚀的高阻材料层，所述高阻材料层的阻值至少为所述相变材料层的阻值的十倍及以上。

专利地区：上海