一种Si_xN_y基电阻型存储器及其制备方法和应用专利登记公告

专利名称：一种Si_xN_y基电阻型存储器及其制备方法和应用

摘要：本发明涉及一种SixNy基电阻型存储器及其制备方法和应用，属于微电子技术领域。所述SixNy基电阻型存储器包括上电极、绝缘介质层、阻变存储层和下电极，所述绝缘介质层设置于下电极之上，所述设置有绝缘介质层的下电极上具有一贯穿绝缘介质层的孔洞，所述阻变存储层和上电极均位于所述孔洞中，所述阻变存储层位于上电极和下电极之间，所述阻变存储层由SixNy材料制成，其中，x/y>3/4。本发明SixNy基电阻型存储器与CMOS工艺完全兼容，并具有超大存储窗口、高速、低功耗的特点。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110005463.3

专利申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所

专利发明（设计）人：刘琦;刘明;龙世兵;吕杭炳;谢常青

主权项：一种SixNy基电阻型存储器，其特征在于，包括上电极、绝缘介质层、阻变存储层和下电极，所述绝缘介质层设置于下电极之上，所述设置有绝缘介质层的下电极上具有一贯穿绝缘介质层的孔洞，所述阻变存储层和上电极均位于所述孔洞中，所述阻变存储层位于上电极和下电极之间，所述阻变存储层由SixNy材料制成，其中，x/y＞3/4。

专利地区：北京