一种非易失性电场调控磁化强度的信息存储器件专利登记公告

专利名称：一种非易失性电场调控磁化强度的信息存储器件

摘要：本发明涉及一种非易失性电场调控磁化强度的信息存储器件，属于信息存储技术领域。存储器件由第一金层、钽层、铁磁层、铁电层和第二金层组成。第一金层、钽层、铁磁层、铁电层和第二金层由上而下依次重叠。第一金层的厚度为200-300纳米，钽层的厚度为5-10纳米，铁磁层的厚度为10-20纳米，为非晶层，铁电层的厚度为0.2-0.5毫米，晶体具有三方对称性，第二金层的厚度为300-500纳米。此外，本发明的信息存储器件，在实际应用中可以直接实现电场E对磁化强度M的调控，同时撤掉电场后，被调制的磁化强度M能够较好地保持，

专利类型：发明专利

专利号：CN201210065381.2

专利申请（专利权）人：清华大学

专利发明（设计）人：赵永刚;张森;杨军杰;李培森;曲天良

主权项：一种非易失性电场调控磁化强度的信息存储器件，其特征在于该信息存储器件由第一金层、钽层、铁磁层、铁电层和第二金层组成；所述的第一金层、钽层、铁磁层、铁电层和第二金层由上而下依次重叠，其中所述的第一金层的厚度为200?300纳米，所述的钽层的厚度为5?10纳米，所述的铁磁层的厚度为10?20纳米，所述的铁电层的厚度为0.2?0.5毫米，所述的第二金层的厚度为300?500纳米。

专利地区：北京