半导体器件制造方法专利登记公告

专利名称：半导体器件制造方法

摘要：公开了一种半导体器件制造方法。在台架被保持在受热状态的情况下，半导体晶圆被放置在台架上(步骤S10)。然后，在经过第一时间的情况下，控制器使真空腔室内的压力升高到高于第一压力的第二压力(步骤S40)。在半导体晶圆被放置在台架上之后，真空腔室内的压力与吸附端口内的压力之间的压力差被设置到不使半导体晶圆在凸起上滑动的最小值。此外，在步骤S40，也使压力差保持在不使半导体晶圆在凸起上滑动的最小值。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210065366.8

专利申请（专利权）人：瑞萨电子株式会社

专利发明（设计）人：坂本美里;加藤芳健;山本阳一;京野敬;山本力;本沢辉一;前田实太;伊藤广志

主权项：一种半导体器件制造方法，所述方法用于通过使用半导体制造系统来制造半导体器件，所述半导体制造系统具有真空腔室以及置于所述真空腔室内的台架，所述台架被提供有形成在其上表面上的凸起、用于将晶圆吸附到其处的吸附端口以及加热单元，所述制造方法包括：初始工艺，所述初始工艺用于将所述晶圆放置在所述台架上，其中所述台架被保持在受热状态，并且将所述真空腔室内的压力设置到第一压力，基本上保持所述第一压力持续第一时间；以及加热工艺，所述加热工艺用于在所述初始工艺之后在所述台架被保持在所述受热状态的情况下将所述真空腔室内的压力升

专利地区：日本