减少晶圆电弧放电的方法以及集成电路制造方法专利登记公告
专利名称：减少晶圆电弧放电的方法以及集成电路制造方法
摘要：本发明提供了一种减少晶圆电弧放电的方法以及集成电路制造方法。所述晶圆包括激光标志区，所述晶圆的顶层金属层上布置有钝化层；根据本发明的减少晶圆电弧放电的方法包括：使得所述激光标志区的区域中的所述钝化层的打开尺寸比所述激光标志区的区域中的晶圆上的所有其它层的打开尺寸小。根据本发明，使得钝化层的打开尺寸比其它层或者顶层金属层的打开尺寸小，从而可以避免露出其它层或者顶层金属层来收集电荷，从而减少晶圆电弧放电的可能性。
专利类型：发明专利
专利号：CN201210093549.0
专利申请（专利权）人：上海宏力半导体制造有限公司
专利发明（设计）人：黎坡;林伟铭
主权项：一种减少晶圆电弧放电的方法，所述晶圆包括激光标志区，所述晶圆的顶层金属层上布置有钝化层；其特征在于所述方法包括使得所述激光标志区的区域中的所述钝化层的打开尺寸比所述激光标志区的区域中的晶圆上的所有其它层的打开尺寸小。
专利地区：上海
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