一种提高金属-绝缘体-金属电容器介电质质量的方法专利登记公告

专利名称：一种提高金属-绝缘体-金属电容器介电质质量的方法

摘要：本发明公开了一种提高金属-绝缘体-金属电容器介电质质量的方法，其中，包括以下步骤：提供一衬底，所述衬底的前段部分为晶体管制作区域，后段部分为金属互连区域；在所述衬底上制作下电极，在所述下电极表面沉积一层介电质薄膜，在所述介电质薄膜中加入有机成孔剂；对所述介电质薄膜进行紫外光照射；在所述介电质薄膜上制备上电极。采用该方法制备的电容介电质薄膜，薄膜的应力增加，薄膜质量好，从而将该经过紫外光照射后的含有有机成孔剂的氮化硅薄膜作为MIM电容介电质薄膜，能够很好的提高其电学性能。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210135983.0

专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司

专利发明（设计）人：徐强

主权项：一种提高金属?绝缘体?金属电容器介电质质量的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一衬底，所述衬底的前段部分为晶体管制作区域，后段部分为金属互连区域；在所述衬底上制作下电极，?在所述下电极表面沉积一层介电质薄膜，在所述介电质薄膜中加入有机成孔剂；对所述介电质薄膜进行紫外光照射；在所述介电质薄膜上制备上电极。

专利地区：上海