一种提高金属-绝缘体-金属电容器介电质质量的方法专利登记公告

专利名称：一种提高金属-绝缘体-金属电容器介电质质量的方法

摘要：本发明公开了一种提高金属-绝缘体-金属电容器介电质质量的方法，提供一衬底，在所述衬底上制作下电极，其中，还包括以下步骤：在所述下电极表面沉积一层介电质薄膜；对所述介电质薄膜进行紫外光照射；在所述介电质薄膜上制备上电极。采用该方法制备的电容介电质薄膜，其薄膜质量较好，可以提高该MIM电容器的电学性能。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210135988.3

专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司

专利发明（设计）人：徐强

主权项：一种提高金属?绝缘体?金属电容器介电质质量的方法，提供一衬底，在所述衬底上制作下电极，其特征在于，还包括以下步骤：在所述下电极表面沉积一层介电质薄膜；对所述介电质薄膜进行紫外光照射；在所述介电质薄膜上制备上电极。

专利地区：上海