一种具有高擦除速度的锥形能带氮化硅层SONOS结构器件专利登记公告
专利名称：一种具有高擦除速度的锥形能带氮化硅层SONOS结构器件
摘要：本发明提供一种具有高擦除速度的锥形能带氮化硅层SONOS结构器件，在具有源漏极的硅衬底上设有多层结构的栅极，所述栅极从下至上包括：氧化硅层、薄氮化硅层、氧化层、渐变氮化硅层、阻挡氧化层和控制栅，所述氧化硅层与硅衬底相接触；所述渐变氮化硅层的硅氮含量从下层到上层逐渐变化，并且氮含量从富氮端向富硅端线型减小，硅含量从富氮端向富硅端线型增加；所述栅极四周设有侧墙，所述源漏极分别设在栅极两侧的硅衬底中。
专利类型：发明专利
专利号：CN201210066526.0
专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司
专利发明（设计）人：田志;谢欣云;石磊
主权项：一种具有高擦除速度的锥形能带氮化硅层SONOS结构器件，其特征在于，在具有源漏极的硅衬底上设有多层结构的栅极，所述栅极从下至上包括：氧化硅层、薄氮化硅层、氧化层、渐变氮化硅层、阻挡氧化层和控制栅，所述氧化硅层与硅衬底相接触；所述渐变氮化硅层的硅氮含量从下层到上层逐渐变化，并且氮含量从富氮端向富硅端线型减小，硅含量从富氮端向富硅端线型增加；所述栅极四周设有侧墙，所述源漏极分别设在栅极两侧的硅衬底中。
专利地区：上海
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