一种具有改进BE-SONOS结构的器件以及形成该器件的方法专利登记公告

专利名称：一种具有改进BE-SONOS结构的器件以及形成该器件的方法

摘要：本发明提供一种具有改进BE-SONOS结构的器件，包括具有源/漏区的硅衬底，所述硅衬底上设有多层结构栅极，栅极两侧设有侧墙，所述多层结构栅极从下往上分别是氧化硅层（O1）、氮化硅层（N1）、含氮氧化硅层（SiON）、陷阱氮化硅层（N2）、阻挡氧化层（O3）和控制栅，所述陷阱氮化硅层（N2）是具有高陷阱的电荷存储层。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210077701.6

专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司

专利发明（设计）人：田志;谢欣云

主权项：一种具有改进BE?SONOS结构的器件，包括具有源/漏区的硅衬底，其特征在于，所述硅衬底上设有多层结构栅极，栅极两侧设有侧墙，所述多层结构栅极从下往上分别是氧化硅层（31）、氮化硅层（32）、含氮氧化硅层（33）、陷阱氮化硅层（34）、阻挡氧化层（35）和控制栅，所述陷阱氮化硅层（34）是具有高陷阱的电荷存储层。

专利地区：上海