一种浮栅的制备方法专利登记公告

专利名称：一种浮栅的制备方法

摘要：本发明提供一种浮栅的制备方法，具体步骤如下：步骤一:形成浅沟槽隔离（STI），依次沉积栅氧化层和浮栅；步骤二：再依次沉积第一阻挡层和第二阻挡层；步骤三：然后进行第二阻挡层的化学机械研磨（CMP），直至第一阻挡层；步骤四：以第二阻挡层作为阻挡层，去除浅沟槽隔离（STI）区域上面的第一阻挡层；步骤五：以第二阻挡层作为阻挡层，去除浅沟槽隔离（STI）区域上面的浮栅；步骤六：再用湿法依次去除有源区上面的第二阻挡层和第一阻挡层；步骤七：漏出浮栅，形成浮栅结构。本发明涉及的浮栅完全是炉管沉积出来的，没有经过CMP的研

专利类型：发明专利

专利号：CN201210066527.5

专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司

专利发明（设计）人：肖海波

主权项：一种浮栅的制备方法，其特征在于：所述方法的具体步骤如下：步骤一:?形成浅沟槽隔离（STI），依次沉积栅氧化层和浮栅；步骤二：再依次沉积第一阻挡层和第二阻挡层；步骤三：然后进行第二阻挡层的化学机械研磨（CMP），直至第一阻挡层；步骤四：以第二阻挡层作为阻挡层，去除浅沟槽隔离（STI）区域上面的第一阻挡层；步骤五：以第二阻挡层作为阻挡层，去除浅沟槽隔离（STI）区域上面的浮栅；步骤六：再用湿法依次去除有源区上面的第二阻挡层和第一阻挡层；步骤七：漏出浮栅，形成浮栅结构。

专利地区：上海