一种提高随机存储器读出冗余度的方法专利登记公告

专利名称：一种提高随机存储器读出冗余度的方法

摘要：本发明提供的一种提高随机存储器读出冗余度的方法，包括提供静态随机存储器，所述静态随机存储器包括衬底、沟槽和栅极，所述静态随机存储器上包括依次相邻的第一NMO器件、PMOS器件和第二NMOS器件；在所述静态随机存储器上淀积通孔刻蚀停止层和光刻胶；打开所述PMOS器件和第二NMOS器件所在区域的光刻胶；采用元素离子对PMOS器件和第二NMOS器件所在区域进行轰击，以释放所在区域的通孔刻蚀停止层中的应力。本发明降低了控制管器件的载流子迁移率，增大了控制管的等效电阻。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210090326.9

专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司

专利发明（设计）人：俞柳江

主权项：一种提高随机存储器读出冗余度的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，提供静态随机存储器，所述静态随机存储器包括衬底、沟槽和栅极，所述静态随机存储器上包括依次相邻的第一NMO器件、PMOS器件和第二NMOS器件；?步骤2，在所述静态随机存储器上淀积通孔刻蚀停止层和光刻胶；步骤3，打开所述PMOS器件和第二NMOS器件所在区域的光刻胶；步骤4，采用元素离子对PMOS器件和第二NMOS器件所在区域进行轰击，以释放被轰击PMOS和NMOS器件所在区域的通孔刻蚀停止层中的应力。

专利地区：上海