减小热载流子注入损伤的MOS器件制作方法专利登记公告

专利名称：减小热载流子注入损伤的MOS器件制作方法

摘要：本发明公开了一种减小热载流子注入损伤的MOS器件制作方法，通过在所述漏极区域上方的侧墙沉积层上形成光刻胶层，并采用中性离子对源极区域上方的侧墙沉积层进行离子注入的方法，使得刻蚀后源极侧墙的截面宽度相对较小，而漏极侧墙的截面宽度相对增大。当栅极加上电压后，在漏极产生的纵向电场强度减弱，因此，由横向电场加速的载流子碰撞产生的电子空穴对，空穴会在较弱的纵向电场作用下向栅极中注入，从而减小了由于热载流子注入而形成的栅极电流，减小了半导体器件热载流子注入的损伤。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210081226.X

专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司

专利发明（设计）人：俞柳江

主权项：一种减小热载流子注入损伤的MOS器件制作方法，其特征在于，包括：在衬底上形成栅极结构，所述衬底包括源极区域和漏极区域；以所述栅极结构为掩膜，在栅极结构两侧的衬底内进行轻掺杂，形成源极延伸区和漏极延伸区；在所述衬底上形成侧墙沉积层；在所述漏极区域上方的侧墙沉积层上形成光刻胶层；采用中性离子对源极区域上方的侧墙沉积层进行离子注入；去除所述光刻胶层，对所述侧墙沉积层进行刻蚀，以在所述源极区域上方形成源极侧墙，在所述漏极区域上方形成漏极侧墙，所述漏极侧墙的截面宽度大于所述源极侧墙的截面宽度；进行源漏重掺杂以及退火

专利地区：上海