蚀刻方法、蚀刻装置及计算机可读存储介质专利登记公告

专利名称：蚀刻方法、蚀刻装置及计算机可读存储介质

摘要：本发明提供一种蚀刻方法、蚀刻装置及计算机可读存储介质，所述蚀刻方法是即使对多层结构体中的硅膜，也可以使用抗蚀膜、有机膜作为掩模而进行蚀刻，并且，还可以将硅膜以及存在于该硅膜下的硅氧化物膜一并蚀刻的蚀刻方法。该方法对包含硅氧化物膜(2)以及形成于该硅氧化物膜(2)上的硅膜(3)的多层结构体进行蚀刻，对多层结构体中的硅膜(3)及硅氧化物膜(2)进行蚀刻时，使用抗蚀膜(6)或有机膜作为蚀刻的掩模，使用包含CH2F2气体的蚀刻气体作为蚀刻气体，将多层结构体中的硅膜(3)及硅氧化物膜(2)一并蚀刻。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210067556.3

专利申请（专利权）人：东京毅力科创株式会社

专利发明（设计）人：秋庭亚辉

主权项：一种蚀刻方法，其特征在于，其是对包含硅氧化物膜及形成于该硅氧化物膜上的硅膜的多层结构体进行蚀刻的蚀刻方法，对所述多层结构体中的所述硅膜及所述硅氧化物膜进行蚀刻时，使用抗蚀膜或有机膜作为蚀刻的掩模，使用包含CH2F2气体的蚀刻气体作为蚀刻气体，将所述多层结构体中的硅膜及所述硅氧化物膜一并蚀刻。

专利地区：日本