制造半导体装置的装置和方法及制造电子设备的方法专利登记公告

专利名称：制造半导体装置的装置和方法及制造电子设备的方法

摘要：一种半导体制造装置，其包括：处理室，其用期望的化学液来处理晶片的被处理膜；膜厚度测量单元，其测量处理前的被处理膜的初始膜厚度和处理后的被处理膜的最终膜厚度；以及主体控制单元，其由初始膜厚度、最终膜厚度以及从初始膜厚度直到最终膜厚度所占用的化学液处理时间以计算出化学液的处理速度，以便由算出的处理速度计算出下一个待处理的晶片的化学液处理时间。根据本发明的实施方式，不管形成于基板上的被处理膜的初始膜厚度因每个基板而如何有差异，每个基板上的被处理膜的残余膜都可一致。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210034194.8

专利申请（专利权）人：索尼公司

专利发明（设计）人：武谷佑花里;岩元勇人;萩本贤哉;本冈荣蔵

主权项：一种半导体制造装置，其包括：处理室，其用期望的化学液来处理晶片的被处理膜；膜厚度测量单元，其用于测量处理前的所述被处理膜的初始膜厚度和处理后的所述被处理膜的最终膜厚度；以及主体控制单元，其用于由所述初始膜厚度、所述最终膜厚度以及从所述初始膜厚度直到所述最终膜厚度所花费的化学液处理时间而计算出所述化学液的处理速度，以便由所述算出的处理速度计算出下一个待处理的晶片的化学液处理时间。

专利地区：日本