一种设有PIP电容的混合模式MOS管器件的制作方法专利登记公告

专利名称：一种设有PIP电容的混合模式MOS管器件的制作方法

摘要：本发明的实施例提供了一种设有PIP电容的混合模式MOS管器件的制作方法，涉及半导体器件制作技术领域，为有效避免器件制作过程形成PIP电容时的多晶硅残留而发明。所述MOS管器件的制作方法，包括：在形成所述MOS管的栅极氧化层之后，沉积第一多晶硅薄膜；在所述第一多晶硅薄膜上，生长介电层薄膜；在所述介电层薄膜上，沉积第二多晶硅薄膜；对所述第二多晶硅薄膜和所述介电层薄膜进行构图工艺，通过所述构图工艺，形成所述多晶硅-介电层-多晶硅PIP电容的多晶硅上极板和介电层；对所述第一多晶硅薄膜进行构图工艺，通过所述构图工艺

专利类型：发明专利

专利号：CN201110054536.8

专利申请（专利权）人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司

专利发明（设计）人：闻正锋;赵文魁;谭志辉

主权项：一种设有PIP电容的混合模式MOS管器件的制作方法，其特征在于，包括：在形成所述MOS管的栅极氧化层之后，沉积第一多晶硅薄膜；在所述第一多晶硅薄膜上，生长介电层薄膜；在所述介电层薄膜上，沉积第二多晶硅薄膜；对所述第二多晶硅薄膜和所述介电层薄膜进行构图工艺，通过所述构图工艺，形成所述多晶硅?介电层?多晶硅PIP电容的多晶硅上极板和介电层；对所述第一多晶硅薄膜进行构图工艺，通过所述构图工艺，形成所述PIP电容的多晶硅下极板和所述MOS管的多晶硅栅极。

专利地区：北京