晶体管的制作方法、晶体管、阵列基板以及显示装置专利登记公告

专利名称：晶体管的制作方法、晶体管、阵列基板以及显示装置

摘要：本发明实施例提供的晶体管的制作方法、晶体管、阵列基板以及显示装置，用于提高阵列基板的开口率，该方法包括：形成第一源极和漏极金属层；在第一源极和漏极金属层上形成绝缘层；在绝缘层上形成栅极金属层；在栅极金属层上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层形成半导体层；在半导体层上形成的刻蚀阻挡层；在刻蚀阻挡层上形成第二源极和漏极金属层；在第二源极和漏极金属层上形成绝缘层。可见通过该方法制作的晶体管可提高阵列基板的开口率。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210126730.7

专利申请（专利权）人：京东方科技集团股份有限公司

专利发明（设计）人：姜春生

主权项：一种晶体管的制作方法，其特征在于，所述方法包括：在基板上形成第一源极和漏极金属层；在所述第一源极和漏极金属层上形成绝缘层；所述绝缘层包含第一绝缘区域和第二绝缘区域，所述第一绝缘区域和第二绝缘区域位于相对于第一源极和漏极金属层中心线相对设置且具有一空白区域；在所述绝缘层上形成栅极金属层；所述栅极金属层包含第一栅极区域和第二栅极区域，且所述第一栅极区域覆盖所述第一绝缘区域，所述第二栅极区域覆盖所述第二绝缘区域；在所述栅极金属层上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成半导体层；所述半导体层的正投影区域覆盖所述第

专利地区：北京