一种硅纳米孔洞的孔径调节方法专利登记公告

专利名称：一种硅纳米孔洞的孔径调节方法

摘要：本发明属于硅纳米孔洞的加工和制备技术领域，具体涉及一种硅纳米孔洞的孔径调节方法。本方法首先测量出硅纳米孔洞的直径；然后计算出直径与期望值的偏差Δ：若直径大于期望值，则将带有硅纳米孔洞的器件加热氧化，使硅被氧化掉的厚度为r＝(Δ/2)×(44/56)，然后检测硅纳米孔洞的直径是否达到期望值，直至获得期望的孔洞大小；若直径小于期望值，则首先将带有硅纳米孔洞的器件加热氧化，使硅被氧化掉的厚度为Δ/2，接着用氢氟酸溶液腐蚀掉生成的二氧化硅层，最后检测硅纳米孔洞的直径是否达到期望值，直至获得期望的孔洞大小。本方法能

专利类型：发明专利

专利号：CN201210067841.5

专利申请（专利权）人：中国电子科技集团公司第三十八研究所

专利发明（设计）人：冯俊波;郭进;滕婕;宋世娇

主权项：一种硅纳米孔洞的孔径调节方法，其特征在于包括如下步骤：1)、通过检测手段测量出硅纳米孔洞的直径为D1；2)、计算出直径D1与期望值D2的偏差Δ，并按下述两种情况进行操作：a)、若直径D1大于期望值D2，此时Δ＝D1?D2，将带有硅纳米孔洞的器件加热氧化，控制氧化时间使硅纳米孔洞内壁的硅被氧化掉的厚度为r，r＝(Δ/2)×(44/56)，然后检测氧化后的硅纳米孔洞的直径是否达到期望值D2，如果是则停止操作，如果否则重复步骤2)，直至获得期望的孔洞大小；b)、若直径D1小于期望值D2，此时Δ＝D2?D1，则首

专利地区：安徽