包括用于补偿寄生电感的电路的半导体装置专利登记公告

专利名称：包括用于补偿寄生电感的电路的半导体装置

摘要：本发明涉及包括用于补偿寄生电感的电路的半导体装置。一种半导体装置包括第一晶体管、与第一晶体管并联耦合的第二晶体管、以及第一晶体管的发射极和第二晶体管的发射极之间的第一寄生电感。该半导体装置包括：第一电路，被配置为基于公共驱动器信号向第一晶体管提供第一栅极驱动器信号；和第二电路，被配置为基于公共驱动器信号向第二晶体管提供第二栅极驱动器信号。第一电路和第二电路被配置为补偿跨越第一寄生电感的压降，使得第一栅极驱动器信号和第二栅极驱动器信号与公共驱动器信号同相并且具有与公共驱动器信号相同的幅值。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210068132.9

专利申请（专利权）人：英飞凌科技股份有限公司

专利发明（设计）人：R.巴耶雷尔;P.T.卢尼夫斯基

主权项：一种半导体装置，包括：第一晶体管；第二晶体管，与所述第一晶体管并联耦合；第一寄生电感，位于所述第一晶体管的发射极和所述第二晶体管的发射极之间；第一电路，被配置为基于公共驱动器信号向所述第一晶体管提供第一栅极驱动器信号；以及第二电路，被配置为基于所述公共驱动器信号向所述第二晶体管提供第二栅极驱动器信号，其中所述第一电路和所述第二电路被配置为补偿跨越所述第一寄生电感的压降，使得所述第一栅极驱动器信号和所述第二栅极驱动器信号与所述公共驱动器信号同相并且具有与所述公共驱动器信号相同的幅值。

专利地区：德国