新型低端MOSFET/IGBT负压箝位驱动电路及其控制方法专利登记公告

专利名称：新型低端MOSFET/IGBT负压箝位驱动电路及其控制方法

摘要：本发明公开了一种新型低端MOSFET/IGBT负压箝位驱动电路及其控制方法，属于电力电子驱动领域。它包括电路连接的负压箝位驱动单元与BOOST升压单元；控制方法的步骤为：（1）控制S1与S4处于导通状态，S2与S3处于关断状态；（2）控制S1、S2、S3和S4处于关断状态，Q栅源极上的电压始终维持在U3上不变；（3）控制S2与S3处于导通状态，S1与S4处于关断状态，Q上的栅源电压将会被箝位在电压U4上，Q瞬间被关断；（4）控制S1、S2、S3和S4都处于不导通状态，Q栅源极上的电压维持在U4上。其中S1

专利类型：发明专利

专利号：CN201210176271.3

专利申请（专利权）人：安徽工业大学

专利发明（设计）人：陈宗祥;葛芦生;何胜方;宋斌

主权项：新型低端MOSFET/IGBT负压箝位驱动电路，它包括负压箝位驱动单元（2），所述的负压箝位驱动单元（2）与BOOST升压单元（1）电路连接，其特征在于：所述的负压箝位驱动单元（2）由电源Vcc、自举电容C1、自举电容C2、二极管D1、二极管D2、MOSFET开关管S1、MOSFET开关管S2、MOSFET开关管S3和MOSFET开关管S4组成，所述的电源Vcc的负极接地，电源Vcc的正极与二极管D1的正极相连，二极管D1的负极与MOSFET开关管S1的漏极连接，所述的自举电容C1的一端接入二极管D1的负

专利地区：安徽