蚀刻方法、制造半导体装置的方法以及蚀刻装置专利登记公告
专利名称：蚀刻方法、制造半导体装置的方法以及蚀刻装置
摘要：蚀刻方法，其包括：对蚀刻水溶液施加放射线；和通过使用被放射线照射的蚀刻水溶液对待蚀刻的材料进行蚀刻。
专利类型：发明专利
专利号：CN201210068655.3
专利申请（专利权）人：富士通株式会社
专利发明（设计）人：尾崎史朗;武田正行
主权项：蚀刻方法，其包括：对蚀刻水溶液施加放射线；和通过使用被放射线照射的蚀刻水溶液对待蚀刻的材料进行蚀刻。
专利地区：日本
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