碳化硅薄膜制作方法以及金属阻挡层制作方法专利登记公告

专利名称：碳化硅薄膜制作方法以及金属阻挡层制作方法

摘要：本发明公开了一种碳化硅薄膜制作方法，在淀积一定厚度的碳化硅薄膜后，采用碳氢化合物对其进行远程等离子体处理，如此可去除碳化硅薄膜里的氮元素，并且由于是远程等离子体处理，对被处理的碳化硅薄膜表面几乎没有任何损伤，这样周而复始几个循环达到目标厚度后结束，利用本发明制备出来的碳化硅薄膜氮含量极低，从而避免了光阻中毒的风险，并且每一层碳化硅薄膜均用远程等离子体来进行处理，所以最后形成的碳化硅薄膜的品质没有任何的变差，并可延长腔体内一些部件的使用寿命。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210170352.2

专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司

专利发明（设计）人：张文广;陈玉文

主权项：一种碳化硅薄膜制作方法，包括：S1：采用含氮气体沉积碳化硅薄膜；S2：采用碳氢化合物对所述碳化硅薄膜进行远程等离子体处理；重复所述步骤S1至S2，直至形成目标厚度的碳化硅薄膜。

专利地区：上海