局部曝光方法以及局部曝光装置专利登记公告

专利名称：局部曝光方法以及局部曝光装置

摘要：本发明提供一种局部曝光方法以及局部曝光装置，容易地调整在基板面内精确地设定的每个区域的曝光量，提高显影处理后的抗蚀剂残膜的均匀性，抑制布线图案的线宽以及间距的偏差。该局部曝光方法具备以下步骤：针对形成于被处理基板(G)的感光膜的规定区域，根据其膜厚来求出要照射的目标照度；确定能够照射到上述规定区域的至少一个发光体；关于所确定的上述一个发光体(GR)，在与该发光体相邻的其它发光体能够照射到上述规定区域内的情况下，从上述目标照度中减去由该其它发光体的发光引起的干涉光的照度，将所算出的该值设为校正后的设定照度；

专利类型：发明专利

专利号：CN201210069291.0

专利申请（专利权）人：东京毅力科创株式会社

专利发明（设计）人：森山茂;田中茂喜;尾上幸太朗

主权项：一种局部曝光方法，在将基板以水平状态进行水平方向输送的基板输送路径的上方，将由在与基板输送方向交叉的方向上线状地排列的多个发光元件中的一个或者多个发光元件构成的发光体作为发光控制单位而选择性地进行发光驱动，通过上述发光体对在上述发光体的下方沿基板输送方向相对于上述发光体移动的上述基板上的感光膜实施曝光处理，该局部曝光方法的特征在于，具备以下步骤：目标照度计算步骤：针对在上述基板上形成的感光膜的规定区域，根据其膜厚来求出要照射的目标照度；发光体确定步骤：确定能够照射到上述规定区域的至少一个发光体；设定照度计

专利地区：日本