氮化硅的热化学气相沉积专利登记公告

专利名称：氮化硅的热化学气相沉积

摘要：氮化硅的热化学气相沉积，本发明的设备包含处理区；基材托架；气体输送系统；气体混合区；加热元件，该加热元件用以将固定在面板上的转接环加热到所需要的温度；以及有温度控制的排气系统。此外，本发明是关于涉及一种方法和设备，其可包括：将双(第三-丁基胺)硅烷气化；将双(第三-丁基胺)硅烷和氨送入处理室中；在由转接环和至少两折流板所界定的另一混合区中，组合此两种反应物；加热该转接环；并将该双(第三-丁基胺)硅烷经由气体分配板送入该处理区内。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210069512.4

专利申请（专利权）人：应用材料公司

专利发明（设计）人：R·S·伊尔;S·M·苏特;J·W·史密斯;G·W·迪贝罗;A·塔姆;B·特兰;S·坦东

主权项：一种用以在半导体基材上以低温沉积膜的设备，包括：处理室本体和室盖，该处理室本体和室盖界定出处理区；基材托架，配置在该处理区中；气体输送系统，装配在该室盖上，该气体输送系统包括转接环和两个折流板，该转接环和两个折流板界定出气体混合区，该气体输送系统还包括直接与该转接环接触的面板；以及加热元件，配置对该转接环加热。

专利地区：美国