高密度等离子机台的预沉积方法专利登记公告

专利名称：高密度等离子机台的预沉积方法

摘要：本发明涉及一种高密度等离子机台的预沉积方法，包括：采用第一频功率在所述高密度等离子机台的腔室内壁上沉积第一薄膜；采用第二频功率在第一薄膜上沉积第二薄膜，所述第二频功率的频率大于第一频功率。本发明采用第一频功率在腔室内壁上沉积第一薄膜，所述第一薄膜在晶片沉积工艺之前沉积，使得所述第一薄膜与腔室内壁结合性好，再采用第二频功率在第一薄膜上沉积第二薄膜，所述第二薄膜的沉积速率小于第一薄膜的沉积速率，使得所述第二薄膜致密性好，有更大的压应力，同时与后续的晶片沉积工艺更接近，从而避免了后续晶片沉积工艺对腔室内壁的刻蚀

专利类型：发明专利

专利号：CN201210081665.0

专利申请（专利权）人：上海先进半导体制造股份有限公司

专利发明（设计）人：姜剑光;徐雷军;刘峰松;陆金;陈怡骏

主权项：一种高密度等离子机台的预沉积方法，其特征在于，包括以下步骤：采用第一频功率在所述高密度等离子机台的腔室内壁上沉积第一薄膜；采用第二频功率在第一薄膜上沉积第二薄膜，所述第二频功率的频率大于第一频功率。

专利地区：上海