画素结构及其制作方法专利登记公告

专利名称：画素结构及其制作方法

摘要：本发明涉及一种画素结构及其制作方法，制作方法包括以下步骤：于基板上形成扫描线、闸极、氧化物导体层、金属导体层、氧化物半导体层以及绝缘层；该氧化物导体层包括画素电极以及第一辅助图案层，其部分地重迭于闸极所在面积；该第一辅助图案层包括第一金属接触部以及第一半导体接触部；该金属导体层包括数据线、源极以及汲极，该源极连接于数据线，该源极与汲极彼此分离，该汲极接触第一金属接触部并暴露出源极与汲极间的第一半导体接触部，而电性连接画素电极；该氧化物半导体层连接于源极与汲极之间并接触第一半导体接触部；该绝缘层位于闸极与金

专利类型：发明专利

专利号：CN201210070663.1

专利申请（专利权）人：福建华映显示科技有限公司;中华映管股份有限公司

专利发明（设计）人：张锡明

主权项：一种画素结构的制作方法，其特征在于，包括：于一基板上形成一扫描线以及电性连接于该扫描线的一闸极；于该基板上形成一氧化物导体层，且该氧化物导体层包括一画素电极以及一第一辅助图案层，该第一辅助图案层部分地重迭于该闸极所在面积，其中该第一辅助图案层包括一第一金属接触部以及一第一半导体接触部；于该基板上形成一金属导体层，位于该氧化物导体层远离该基板的一侧，该金属导体层包括一数据线、一源极以及一汲极，该源极连接于该数据线，该源极与该汲极彼此分离，该汲极接触该第一金属接触部并暴露出该第一半导体接触部，而该汲极电性连接

专利地区：福建