半导体元件及其形成方法专利登记公告

专利名称：半导体元件及其形成方法

摘要：本发明揭示一种半导体元件及其形成方法，此方法包含提供含有上表面的基底，在基底的上表面形成栅极，栅极具有从基底的上表面测量的第一高度，蚀刻栅极，降低栅极至第二高度，第二高度大抵上小于第一高度。本揭示还包含半导体元件，此半导体元件包含具有上表面的基底，设置于基底的上表面之上的第一栅极，第一栅极具有第一高度，以及设置于基底的上表面之上的第二栅极，第二栅极具有第二高度，其中第一高度大抵上小于第二高度。本发明所公开的半导体元件及其形成方法可降低成本。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110139310.8

专利申请（专利权）人：台湾积体电路制造股份有限公司

专利发明（设计）人：杨锦煌;廖均恒;郑新立;韩良恺

主权项：一种形成半导体元件的方法，包括：提供一基底，包含一上表面；在该基底的该上表面之上形成一栅极，该栅极具有一第一高度，从该基底的该上表面测量；以及蚀刻该栅极，降低该栅极至一第二高度，该第二高度为该第一高度的10％至75％。

专利地区：台湾